Chercheur - Chercheuse CDD en Microscopie Corrélative Avancée de Semiconducteurs et d'Autres Systèmes Luminescents H/F
Ce projet vise à développer une méthodologie originale pour corréler l'analyse multi-spectroscopique et microscopique des LED à base de semi-conducteurs au nitrure III (GaN et ses alliages), qui conduira à des simulations physiques améliorées de la structure de bande du dispositif. L'objectif est de comprendre les performances des LED au regard de leurs paramètres structuraux et chimiques. Deux approches différentes seront mises en oeuvre pour l'étude des caractéristiques expérimentales : (i) la cathodoluminescence ex-situ (CL), la microscopie électronique à transmission (TEM), la tomographie par sonde atomique (APT) et (ii) la micro-photoluminescence in-situ (µPL) et APT. L'objectif ultime d'ASCESE 3D est d'obtenir une image tridimensionnelle (3D) résolue en composition avec une résolution spatiale inférieure au nanomètre et le spectre d'émission de la même structure émettrice de lumière, et de corréler les propriétés structurelles et optiques avec des calculs théoriques.
Activités
- Développement de méthodologies de microscopie corrélative (responsable, tâche principale)
- Identification de régions contenant des nanostructures spécifiques par microscopie électronique à balayage en mode standard, imagerie par faisceau induit par faisceau électronique, imagerie et spectroscopie de cathodoluminescence. (responsable, tâche principale)
- Assistance au développement instrumental de la sonde atomique photonique (PAP)
- Fabrication à l'aide du Faisceau d'Ions Focalisé (FIB) d'échantillons analysables par Sonde Atomique Tomographique (SAT) et Microscopie Electronique en Transmission (MET). (responsable, tâche principale)
- Analyse d'échantillons par SAT couplée à la spectroscopie de Micro-Photoluminescence (µPL) (tâche principale)
- Calcul des états électroniques par outils numériques dédiés (e.g logiciel nextnano) (tâche secondaire)
- Publication des résultats sur des journaux internationaux suite à rédaction d'articles scientifiques.
Compétences
- Doctorat en Physique, Science des Matériaux ou Ingénierie
- Expérience (+= 3 ans), durant son doctorat ou post-doctorat, en deux ou plusieurs de ces techniques : Sonde Atomique Tomographique (SAT), Microscopie Electronique en Transmission (MET), Nano-fabrication par Faisceau d'Ions Focalisé (FIB), Spectroscopie et imagerie de Cathodoluminescence (CL).
- Connaissances approfondie en Physique des Semiconducteurs, en particulier appliquée aux dispositifs optoélectroniques
Pour l'adaptation au poste, le GPM offre annuellement des formations en SAT et MET.
Contexte de travail
Le GPM (Groupe de Physique des Matériaux, UMR CNRS 6634) est structuré en 5 départements : Matériaux-Vieillissement-Mécanique, Instrumentation Scientifique, Nanosciences, Systèmes Désordonnés-Polymères et Nano-Santé-Physique. Il rassemble 150 personnels dont 60 Enseignants-Chercheurs/Chercheurs, 30 ITA et 60 Doctorants/PostDoct/Stagiaires. Le laboratoire est situé sur le Campus Sciences et Ingénierie Rouen Normandie (à Rouen/Saint Etienne du Rouvray), au sein de l'Université de Rouen Normandie et de l'INSA Rouen Normandie (7000m2).
Le/la chercheur/chercheuse recruté/recrutée sera rattaché/rattachée au sein du Département Instrumentation, Equipe de Recherche en Instrumentation Scientifique (3 enseignants-chercheurs, 3 IR, 2 IE, 4 Doctorants), et sera amené (e) à collaborer avec les équipes du Département Nanosciences.
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Contraintes et risques
Risque Laser, Cryo, Traitements Chimiques (utilisation d'acides et bases possible